Южнокорейская компания Samsung Electronics объявила о том, что первой в мире начала выпуск 64-битных многоячеистых NAND микросхем памяти, использующих высокопроизводительный интерфейс DDR 2.0 и изготовленных по 20-нм технологическому процессу.

Данная новинка предназначена для использования в высокопроизводительных мобильных устройствах, таких как смартфоны, планшетные ПК и твердотельные накопители (SSD диски). Она обеспечивает скорость передачи до 400 Мбит/сек, что в 10 раз превышает 40-битные SDR NAND модули памяти, широко используемые в настоящее время, а также в три раза превышают по скорости 32-битные DDR NAND флэш модули памяти, использующие интерфейс DDR 1.0.

Источник: mobile-review.com