Южнокорейская компания Samsung Electronics о выпуске нового поколения 64 гигабайтных модулей eMMCкарт памяти, изготовленных по 10-нм технологическому процессу. Производство новых NAND модулей памяти уже начато в конце прошлого месяца.

Новые 64 Гб модули eMMC Pro Class 2000 имеют производительность при случайной записи на уровне 2000 IOPS (ввода/вывода в секунду) и 5000 IOPS при операциях чтения случайной выборки. Кроме того, скорость последовательного чтения и записи составляет 260 Мб/с и 50 Мб/с соответственно, что в 10 раз больше современных высокоскоростных внешних карт памяти, соответствующих классу скорости Class 10, для которых данные параметры равны 24 Мб/с и 12 Мб/с.

В дополнение ко всему, размер представленных чипов модулей памяти на 20 процентов меньше в сравнении с обычными встраиваемыми модулями.

Источник: mobile-review.com